Para el MOSFET de empobrecimiento de canal n determinar IDQ además VDS
A
IDQ= 31 A / VDS= 100 V
B
IDQ = 62 A / VDS= 20 A
C
Opción E IDQ=3.1 mA / VDS = 10.1 V
D
IDQ= 5 A / VDS= 5 V
E
IDQ= 15.5 A / VDS= 5 V
Evaluación Parcial T03
Puntaje:
15
En el circuito mostrado determine el voltaje Drenador - Surtidor (VDS )
A
10.5V
B
3.5V
C
Opción C 5V
D
6V
E
8V
En el circuito mostrado se pide calcular ID y VDS, respectivamente.
A
ID= 9.45mA; VDS= 4.83V
B
ID= 6.45mA; VDS= 8.83V
C
Opción B ID= 9.45mA; VDS= 7.83V
D
ID= 5.45mA; VDS= 3.83V
E
ID= 3.45mA; VDS= 5.83V
Es un dispositivo semiconductor que presenta impedancia de entrada muy elevada y por el tipo de material en su canal de polarización pueden ser de empobrecimiento o enriquecimiento.
A
Tiristor PUT
B
Transistor UJT
C
Opción D Transistor MOSFET
D
Transistor BJT
E
Transistor JFET
El circuito mostrado corresponde a un:
A
Amplificador de ganancia común.
B
Amplificador compuerta común.
C
Amplificador Push-Pull.
D
Opción D Amplificador de fuente común.
E
Amplificador drenador común.
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