ELECTRÓNICA ANALÓGICAEvaluación Parcial T03 - 15
Para el MOSFET de empobrecimiento de canal n determinar IDQ además VDS
Opción E
IDQ=3.1 mA / VDS = 10.1 V
IDQ= 5 A / VDS= 5 V
IDQ= 15.5 A / VDS= 5 V
IDQ = 62 A / VDS= 20 A
IDQ= 31 A / VDS= 100 V
En el circuito mostrado determine el voltaje Drenador - Surtidor (VDS )
8V
3.5V
10.5V
6V
Opción C
5V
En el circuito mostrado se pide calcular ID y VDS, respectivamente.
ID= 3.45mA; VDS= 5.83V
Opción B
ID= 9.45mA; VDS= 7.83V
ID= 5.45mA; VDS= 3.83V
ID= 6.45mA; VDS= 8.83V
ID= 9.45mA; VDS= 4.83V
Es un dispositivo semiconductor que presenta impedancia de entrada muy elevada y por el tipo de material en su canal de polarización pueden ser de empobrecimiento o enriquecimiento.
Transistor JFET
Tiristor PUT
Transistor BJT
Opción D
Transistor MOSFET
Transistor UJT
El circuito mostrado corresponde a un:
Amplificador drenador común.
Opción D
Amplificador de fuente común.
Amplificador Push-Pull.
Amplificador compuerta común.
Amplificador de ganancia común.
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1. Para el MOSFET de empobrecimiento de canal n determinar IDQ además VDS 2. En el circuito mostrado determine el voltaje Drenador - Surtidor (VDS ) 3. En el circuito mostrado se pide calcular ID y VDS, respectivamente. 4. Es un dispositivo semiconductor que presenta impedancia de entrada muy elevada y por el tipo de material en su canal de polarización pueden ser de empobrecimiento o enriquecimiento. 5. El circuito mostrado corresponde a un:
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